线路电阻片-广东电阻-厚博电子的详细描述：

2.元器件方面

•研制各种适合于厚膜电路组装的有源和

  无源器件

•研制和发展厚膜敏感器件

3.电路方面：向超大规模方向发展

•利用厚膜的多层布线技术和高密度组装技术，提高电路的集成度。

4.厚膜技术方面

•研究和发展各种自动化高密度组装技术（突点技术、SMT技术）、焊接技术（激光微焊、电子束焊接）。

•发展厚膜与其他各种技术的组合技术

   厚膜技术、薄膜技术、半导体微细加工技术、CAD、CAM、CAT

5.多芯片模块（MCM）—混合微电路的新品种

   封装密度增加一个数量级、性能提高一个

数量级

  MCM-D—通过薄膜淀积金属和多层介记载加工的多层基片。

  MCM-C—通过陶瓷与金属共烧加工的多层基片。（HTCC、LTCC）

v干膜光致抗蚀剂的结构

干膜光致抗蚀剂由聚酯薄膜，光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分组成。 聚酯薄膜是支撑感光胶层的载体，使之涂布成膜，厚度通常为25μm左右。聚酯薄膜在曝

光之后显影之前除去，防止曝光时氧气向抗蚀剂层扩散，破坏游离基，引起感光度下降。 聚乙烯膜是复盖在感光胶层上的保护膜，防止灰尘等污物粘污干膜，避免在卷膜时，每层

抗蚀剂膜之间相互粘连。聚乙烯膜一般厚度为25μm左右。

光致抗蚀剂膜为干膜的主体，多为负光材料，其厚度视其用途不同，有若干种规格，薄的可以是十几个微米，厚的可达100μm。

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干膜光致抗蚀剂的制作是先把预先配制好的感光胶在高清洁度的条件下，在高精度的涂 布机上涂覆于聚酯薄膜上，经烘道干燥并冷却后，覆上聚乙烯保护膜，卷绕在一个辊芯上。

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v★光致抗蚀剂膜层的主要成分及作用

：我国大量用于生产的是全水溶性干膜，这里介绍的是全水溶性干膜感光胶层的组成。

v印制蚀刻工艺流程：

v下料→板面清洁处理→涂湿膜→曝光→显影（贴干膜→曝光→显影）→蚀刻→去膜→进入下工序

v畋形电镀工艺过程概括如下：

v下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→涂湿膜→曝光→显影（贴干膜→曝光→显影）→形成负相图象

→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→进入下工序

图像转移有两种方法，一种是网印图像转移，一种是光化学图像转移。网印图像转移比光

化学图像转移成本低，在生产批量大的情况下更是如此，但是网印抗蚀印料通常只能制造大于 或等于o．25mm的印制导线，而光化学图像转移所用的光致抗蚀剂朗制造分辨率高的清晰图

像。本章所述内容为后一种方法。光化学图像转移需要使用光致抗蚀剂，下面介绍有关光致抗蚀剂的一些基本知识